忆阻器突破点燃AI算力革命:从实验室到产业链核心标的梳理
港大、港科大与西电团队登上Nature子刊,破解AI芯片核心难题。他们攻克存算一体架构中模数转换器(ADC)这个占能耗87%的「黑洞」,利用忆阻器可编程特性打造能自适应数据分布的「智能标尺」,使AI芯片功耗锐减57.2%,面积缩小30.7%,为下一代高效AI硬
港大、港科大与西电团队登上Nature子刊,破解AI芯片核心难题。他们攻克存算一体架构中模数转换器(ADC)这个占能耗87%的「黑洞」,利用忆阻器可编程特性打造能自适应数据分布的「智能标尺」,使AI芯片功耗锐减57.2%,面积缩小30.7%,为下一代高效AI硬
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究人员首次在铌酸锂芯片上揭示了铁电材料在低温环境下的调控功能,实现了片上独立调控,打造了直流直驱铁电畴工程新技术,让可扩展量子光源的芯片化集成得以成功解决。
2025年下半年,光库科技的车间里多了条24小时运转的生产线,专门赶制薄膜铌酸锂调制器——这种指甲盖大小的器件,订单已经排到了2026年二季度,单价虽只有几百美元,却被业内称为CPO(共封装光学)的“心脏瓣膜”。更热闹的是资本市场:天通股份因突破6英寸铌酸锂晶
光库科技的核心竞争力围绕技术壁垒、产业链整合、细分领域卡位三大维度构建,尤其在量子科技、算力相关光电子核心器件(如铌酸锂调制器)等领域形成稀缺优势,具体可分为以下核心板块:
在河北兴隆观测站的寒夜中,天文学家曾需盯着望远镜屏幕连续工作十几个小时,才能捕捉到几颗恒星的光谱数据。
在人工智能与超高速互联双重拉动下,如何把电子存储里的数据以更快、更省电的方式写入光域并完成计算,成为光计算真正走向工程应用的关键门槛。最新发表于 Nature Communications ,题为Integrated lithium niobate photo
这一在元素周期表中位列第41位的过渡金属,以其卓越的综合性能在现代工业体系中占据不可替代的战略地位。作为典型的难熔金属,其银白色金属光泽下蕴藏着惊人的耐高温特性——熔点高达2468℃,仅次于钨、钽等极少数金属,这使得它在极端环境下的结构材料领域独树一帜。更令人
这一在元素周期表中位列第41位的过渡金属,以其卓越的综合性能在现代工业体系中占据不可替代的战略地位。作为典型的难熔金属,其银白色金属光泽下蕴藏着惊人的耐高温特性——熔点高达2468℃,仅次于钨、钽等极少数金属,这使得它在极端环境下的结构材料领域独树一帜。更令人
这个设计的核心,就是将两种关键材料“强绑定”在一起。一方是铁电材料——锆掺杂的氧化铪,它是一种成熟的、能够与现有芯片制造工艺无缝兼容的记忆材料。另一方,则是光学平台——绝缘体上铌酸锂薄膜,这是光学界的明星材料,以其卓越的线性电光效应而闻名。
硅基光电子技术通过与CMOS工艺兼容的特性,实现了光通信系统的大批量、低成本制造。然而,传统硅调制器面临基本物理限制,制约了其在下一代应用中的性能表现。硅材料缺乏泡克尔斯效应,只能依靠p-n结中的自由载流子色散效应,这种机制引入吸收损耗和非线性效应,限制了调制
市场研究机构YOLE Group表示,硅光子技术推动网络带宽不断突破,助力AI网络规模化扩展。其市场规模将从2024年的2.78亿美元激增至2030年的27亿美元,预计实现46%的复合年增长率。
近日,市场研究机构YOLE Group表示,硅光子技术推动网络带宽不断突破,助力AI网络规模化扩展。其市场规模将从2024年的2.78亿美元激增至2030年的27亿美元,预计实现46%的复合年增长率。
一片直径6寸的晶圆从无锡光子芯片中试平台下线,它将被切割成350颗驱动着高性能薄膜铌酸锂调制器的“心脏”,标志着中国在高端光电子核心器件领域完成从“技术跟跑”到“产业领跑”的历史性跨越。
据悉,来自美国哈佛大学、中国北京大学、美国弗吉尼亚大学、麻省理工学院、荷兰特温特大学等国际学校及企业研发团队的科研人员报道了基于高效高速电光转换的集成铌酸锂光子计算电路研究进展。相关论文以“Integrated lithium niobate photonic
commu naturecommunications 铌酸锂 2025-09-15 19:52 6
哈佛大学工程与应用科学学院(SEAS,Harvard John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences)的研究人员发明了一种器件,能够一步到位连接数字电子信号和模拟光信号。这项研究发表在《自然
光库科技基本面、资金面、技术面、机构面四维分析光库科技2025年半年度管理层讨论与分析_股票频道_证券之星光库科技(300620.SZ)经营分析-PC_HSF10资料上市公司3分钟解读-光库科技(300620.SZ)光库科技几个亮点,看看呗!_财富号_东方财富
半导体行业正经历深刻变革,随着晶体管尺寸逼近物理极限,制程微缩对性能提升的贡献逐渐减弱,先进封装技术与材料创新成为突破瓶颈的核心路径。以下从行业趋势、技术突破、材料创新及上市公司动态五个维度展开分析: